Optimeret siliciumcarbid-teknologi skal styrke global energiomstilling

Øget effekttæthed i halvledere er afgørende for at dække verdens kraftigt stigende energibehov. Derfor lancerer den amerikanske mikrochip-producent onsemi sin seneste siliciumkarbid teknologiplatform, EliteSiC M3e MOSFET, der forbedrer energieffektiviteten for strømkrævende applikationer markant.

Klimakriser og en voksende global energiefterspørgsel presser regeringer og industrier til at sætte ambitiøse klimamål og sikre en bæredygtig fremtid. Nøglen til denne indsats ligger i en effektiv energiomstilling, der udnytter vedvarende energiressourcer.

onsemi tager nu et afgørende skridt i sin strategi om at imødekomme og styrke de voksende krav fra den globale elektrificering og lancerer derfor det seneste skud på virksomhedens siliciumkarbidteknologi, EliteSiC M3e MOSFET. Den nye platform reducerer blandt andet ledningstab med 30 procent og omskiftningstabmed op til 50 procent sammenlignet med tidligere generationer.

Derudover sætter mikrochip-producenten innovationstempoet op og varsler planer om flere siliciumcarbid-generationer og nye EliteSiC-produkter, der kan øge effekttætheden yderligere, frem mod 2030.

Baner vejen for den globale elektrificering

Den nye siliciumcarbid-teknologiplatform vil ifølge onsemis group president for Power Solutions Group, Simon Keeton, komme til at spille en central rolle i at optimere ydeevnen og pålideligheden i den næste generation af elektriske systemer til lavere omkostninger pr. kW. Samtidig vil det styrke implementeringen og effektiviteten af fremtidige elektrificeringsinitiativer.

“Nutidens infrastruktur kan ikke følge med de stigende krav om mere intelligent og elektrificeret mobilitet uden, der sker markante innovationer inden for strøm. Derfor er avancerede effekthalvledere med høj ydeevne og pålidelighed samt lavere omkostninger per kilowatt helt afgørende for elektriske systemer i fremtiden,” siger Simon Keeton, group president, Power Solutions Group, onsemi.

EliteSiC M3e MOSFETs evne til at operere ved højere koblingsfrekvenser og spændinger end tidligere og med mindre effektkonverteringstab gør platformen central for en lang række applikationer inden for bilindustrien, solenergi, energilagring.

Derudover styrker EliteSiC M3e MOSFETs højere effekttæthed overgangen til mere energieffektive datacentre og imødekommer dermed også den stigende energiefterspørgsel til bæredygtige AI-løsninger.

Forbedret platform leverer markant effektivitetsspring

Onsemi skubber med sin mangeårige erfaring inden for effekthalvledere til grænserne for hastighed og innovation og imødekommer branchens behov for øget effekttæthed. EliteSiC M3e MOSFETs nye unikke design- og produktionskapacitet opnår en markant reduktion i både lednings- og omskiftningstab. Sammenlignet med tidligere generationer kan platformen reducere ledningstab med 30 procent og omskiftningstab med op til 50 procent.

Det sker blandt andet ved, at hver ny generation af siliciumcarbid vil optimere cellestrukturerne til effektivt at sende endnu mere strøm gennem et mindre område, hvilket øger effekttætheden. Sammen med virksomhedens avancerede emballageteknikker er onsemi i stand til både at maksimere ydeevnen og reducere pakkestørrelsen.

Udover den imponerende ydeevne sikrer EliteSiC M3e teknologien forlænget levetid og en robust og pålidelig platform, der gør den ideel til kritiske elektrificeringsapplikationer. EliteSiC M3e MOSFET tilbyder samtidig markedets laveste specifikke on-resistance (RSP) med kortslutningsevne, hvilket er afgørende for traktionsinvertere og andre kritiske applikationer.

Pakket i state-of-the-art moduler fra onsemi leverer M3e-dioden ved 1200V betydeligt mere fasestrøm sammenlignet med den tidligere EliteSiC-teknologi. Det giver 20 procent mere udgangseffekt inden for samme fysiske rum, så det bliver muligt at designe mindre, lettere og mere omkostningseffektive systemer.

Dertil kommer onsemis kombination af optimerede, co-engineerede power switches, drivere og controllere, der kan integrere flere avancerede funktioner, som igen er med til at sænke de samlede systemomkostninger.

Endelig leverer onsemi nu en bredere portefølje af intelligente strømteknologier, der kan kombineres med EliteSiC M3e-platformen, herunder gate-drivere, DC-DC-konvertere, e-Fuses.

Onsemis nyeste EliteSiC M3e MOSFET i industristandard TO-247-4L-pakken er nu på prøve.