Ny komplet strømløsning kan forbedre energieffektiviteten i danske datacentre

Ny komplet strømløsning kan forbedre energieffektiviteten i danske datacentre

Den amerikanske mikrochip-virksomhed onsemi er på markedet med nye strømmoduler designet til at reducere energiforbruget i datacentre med op til 10 terawatt globalt.

Den stigende datamængde fra kunstig intelligens lægger øget pres på datacentrenes energiforbrug. Især dataforbruget fra generativ AI er en udfordring, der kræver, at datacentre tænker i nye energieffektive baner.

Derfor lancerer den amerikanske mikrochip-virksomhed onsemi nu en komplet strømløsning til datacentre. Der er tale om en løsning, der kombinerer onsemis seneste generation T10 PowerTrench®-familie og EliteSiC 650V MOSFET. Tilsammen giver det et strømmodulmed høj effektivitet og termisk ydeevne samlet i ét kompakt design.

“AI og elektrificering stiller helt nye krav til vores strømforbrug. For at kunne følge med den teknologiske udvikling spiller strømmoduler og energibesparende løsninger en afgørende rolle. Vores nyeste løsning reducerer strømtab under energikonvertering markant, og det kommer til at få en stor betydning for den kommende generation af datacentre,” siger Simon Keeton, Group President for Power Solutions Group hos onsemi.

Blot en enkelt AI-assisteret forespørgsel kræver ti gange mere strøm end en almindelig søgemaskineforespørgsel, da energien ved en AI-assisteret forespørgsel konverteres fire gange mellem netværket og processoren og medfører et energitab på omkring 12 procent. Derfor forventes energiforbruget i datacentre at nå 1000 TWh globalt inden for to år.

Global energibesparelse på 10 TWh årligt
Med T10 PowerTrench-serien og EliteSiC 650V MOSFET-løsningen kan datacentre reducere energitabet med 1 procent. Det betyder, at serien kan være med til at mindske det årlige globale energiforbrug med hele 10 TWh, hvilket svarer til energibehovet for én million hjem årligt.

EliteSiC 650V MOSFET leverer overlegen switch-ydeevne og lavere kapacitans, som er evnen til at opsamle og opbevare energien, hvilket forbedrer produktiviteten i datacentre og energilagringssystemer. Sammenlignet med den tidligere generation har de nye siliciumcarbid (SiC) MOSFET halveret gate-ladningen og reduceret den mængde energi, der lagres i udgangskapacitansen (Eoss) og udgangsladningen (Qoss) med 44 procent.

Med ingen efter-strøm under slukning minimerer de nye strømmoduler også switch-tabet væsentligt sammenlignet med super junction (SJ) MOSFET’. Derudover leverer strømmodulerne fremragende ydeevne selv ved høje temperaturer. Det giver brugeren mulighed for at reducere størrelsen på systemkomponenterne og samtidig øge driftsfrekvensen.

Øget strømtæthed
T10 PowerTrench-serien kan håndtere høje strømme og tilbyder øget strømtæthed samt bedre termisk ydeevne, hvilket er afgørende for DC-DC strømkonvertering. Det opnås gennem et
skærm-gate design med ultralav gate-ladning og en RDS (on) på mindre end 1 milliohm.

Derudover minimerer soft recovery body diode sammen med en lavere Qrr, effektiviteten i både udsving, kortslutning og elektrisk støj. Det sikrer optimal ydeevne, driftssikkerhed og øget modstandsdygtighed, når systemet er under pres. T10 PowerTrench-serien opfylder både de strenge standarder til bilapplikationer og Open Rack V3 (ORV3) -specifikationerne, som hyperscale-operatører kræver for at understøtte næste generation af processorer til højstrøm.

Find Leverandører af Elektronik komponenter her

Skriv et svar

Din e-mailadresse vil ikke blive publiceret. Krævede felter er markeret med *

Cookie-indstillinger